BUK4D16-20是Nexperia(原飞利浦半导体)生产的一款高压MOSFET晶体管,采用TO-263封装形式。该器件适用于高频开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等应用领域。它具有低导通电阻、高击穿电压以及快速开关速度等特点,能够在高温环境下稳定工作。
BUK4D16-20是一款N沟道增强型MOSFET,其典型特性包括低栅极电荷、优化的热性能以及出色的效率表现。这些特点使得它在功率转换应用中表现出色。
最大漏源电压:650V
连续漏极电流:3.8A
导通电阻(典型值):0.7Ω
总栅极电荷:30nC
输入电容:980pF
功耗:16W
工作温度范围:-55℃至+150℃
BUK4D16-20具有以下显著特性:
1. 高击穿电压(650V),使其适合用于高压环境下的功率转换应用。
2. 低导通电阻(典型值为0.7Ω),可以降低传导损耗,提高系统效率。
3. 快速开关速度,得益于其低栅极电荷设计,可减少开关损耗。
4. TO-263封装具备良好的散热性能,能够适应高功率密度场景。
5. 宽泛的工作温度范围(-55℃至+150℃),确保了在极端条件下的可靠性。
6. 与传统双极型晶体管相比,BUK4D16-20不需要复杂的驱动电路,简化了设计流程。
7. 符合RoHS标准,环保且安全可靠。
BUK4D16-20主要应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关元件。
2. DC-DC转换器,特别是反激式和正激式拓扑结构。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 能量回收系统及逆变器模块。
5. 工业自动化设备中的功率控制部分。
6. 各种家电产品内的高压开关组件。
7. LED驱动器和其他需要高效功率管理的场合。
IRF640N, STP36NF06L, FQP18N60C