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BUK4D16-20 发布时间 时间:2025/5/27 9:56:25 查看 阅读:21

BUK4D16-20是Nexperia(原飞利浦半导体)生产的一款高压MOSFET晶体管,采用TO-263封装形式。该器件适用于高频开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等应用领域。它具有低导通电阻、高击穿电压以及快速开关速度等特点,能够在高温环境下稳定工作。
  BUK4D16-20是一款N沟道增强型MOSFET,其典型特性包括低栅极电荷、优化的热性能以及出色的效率表现。这些特点使得它在功率转换应用中表现出色。

参数

最大漏源电压:650V
  连续漏极电流:3.8A
  导通电阻(典型值):0.7Ω
  总栅极电荷:30nC
  输入电容:980pF
  功耗:16W
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

BUK4D16-20具有以下显著特性:
  1. 高击穿电压(650V),使其适合用于高压环境下的功率转换应用。
  2. 低导通电阻(典型值为0.7Ω),可以降低传导损耗,提高系统效率。
  3. 快速开关速度,得益于其低栅极电荷设计,可减少开关损耗。
  4. TO-263封装具备良好的散热性能,能够适应高功率密度场景。
  5. 宽泛的工作温度范围(-55℃至+150℃),确保了在极端条件下的可靠性。
  6. 与传统双极型晶体管相比,BUK4D16-20不需要复杂的驱动电路,简化了设计流程。
  7. 符合RoHS标准,环保且安全可靠。

应用

BUK4D16-20主要应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率开关元件。
  2. DC-DC转换器,特别是反激式和正激式拓扑结构。
  3. 电机驱动电路中的功率级控制。
  4. 能量回收系统及逆变器模块。
  5. 工业自动化设备中的功率控制部分。
  6. 各种家电产品内的高压开关组件。
  7. LED驱动器和其他需要高效功率管理的场合。

替代型号

IRF640N, STP36NF06L, FQP18N60C

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