时间：2025/5/13 10:04:24
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XPC860ENCZP50C1是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要应用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等领域。该芯片采用先进的制造工艺，具备低导通电阻、高开关速度以及出色的热性能，能够显著提升系统的效率和可靠性。
该器件通常以表面贴装形式封装，适用于高密度设计环境，同时支持大电流负载操作，广泛用于消费电子、工业控制和通信设备中。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压Vds：60V
最大栅源电压Vgs：±20V
连续漏极电流Id：50A
导通电阻Rds(on)：1.5mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
栅极电荷Qg：39nC（典型值）
输入电容Ciss：3480pF（典型值）
反向恢复时间trr：47ns（典型值）
工作温度范围Tj：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247
1. 低导通电阻设计，有助于减少传导损耗，提高系统效率。
2. 高速开关能力，可适应高频应用需求，适合现代高效能电源管理。
3. 内置ESD保护功能，增强了芯片在恶劣环境下的鲁棒性。
4. 支持高电流处理能力，满足多种复杂应用场景的需求。
5. 热稳定性强，能够在宽温度范围内可靠运行，适合工业及汽车级应用。
6. 表面贴装技术兼容性良好，便于自动化生产和优化PCB布局。
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器的核心功率器件。
3. 电机驱动电路中的功率开关。
4. 电池管理系统中的充放电控制开关。
5. 工业自动化设备中的负载切换和功率调节组件。
6. 通信电源和服务器电源中的高效功率转换元件。
XPC860ENCZP50C2, XPC860ENCP50C1
