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GA0805H272MXBBP31G 发布时间 时间:2025/5/15 17:29:52 查看 阅读:10

GA0805H272MXBBP31G 是一款由东芝(Toshiba)生产的高性能功率半导体器件,属于 IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块。该型号采用先进的封装技术,具有高效率、低损耗和卓越的热性能。
  这种 IGBT 模块广泛应用于工业设备、新能源系统和家用电器等领域,例如变频器、逆变焊机、太阳能逆变器等。其设计注重可靠性和耐用性,适合需要高电流和高电压的应用场景。

参数

集电极-发射极饱和电压:2.0V
  最大集电极电流:600A
  最大集电极-发射极电压:1200V
  开关频率:高达 15kHz
  工作温度范围:-40℃ 至 +150℃
  封装形式:模块化封装

特性

GA0805H272MXBBP31G 的主要特点是高耐压能力和大电流承载能力。它采用了东芝的先进 IGBT 技术,能够显著降低导通和开关损耗,从而提高整体系统效率。
  此外,该模块还具备以下优势:
  1. 高可靠性:通过优化内部结构,提高了模块在恶劣环境下的稳定性。
  2. 热性能优异:内置高效的散热设计,确保长时间运行时温升较低。
  3. 电气隔离:提供安全的电气隔离功能,减少干扰并保护电路。
  4. 易于安装:标准化模块化封装简化了 PCB 布局设计和装配过程。
  这些特点使得 GA0805H272MXBBP31G 成为众多高功率应用的理想选择。

应用

该型号适用于多种高功率电子设备中,包括但不限于以下领域:
  1. 工业变频器:用于电机驱动和速度控制。
  2. 新能源转换系统:如风能和太阳能逆变器,将直流电转换为交流电。
  3. 焊接设备:如逆变焊机,提供稳定的焊接电源。
  4. 家用电器:如空调压缩机驱动,实现高效节能运行。
  5. 牵引系统:用于电动车和铁路运输中的电力传动系统。
  由于其出色的性能表现,GA0805H272MXBBP31G 在要求严格的工作条件下依然表现出色。

替代型号

GA0805H271MXBBP31G, GA0805H273MXBBP31G

GA0805H272MXBBP31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容2700 pF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数X8R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-