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GA0603H821JBAAT31G 发布时间 时间:2025/5/21 22:58:22 查看 阅读:15

GA0603H821JBAAT31G 是一款高性能的光电二极管阵列芯片,专为高灵敏度和快速响应的光学检测应用设计。该芯片采用先进的半导体制造工艺,能够提供卓越的线性度和低噪声性能。其广泛应用于医学成像、工业自动化检测、光谱分析等领域。

参数

型号:GA0603H821JBAAT31G
  类型:光电二极管阵列
  波长范围:400nm - 1100nm
  像素数量:256
  像素尺寸:100μm x 100μm
  暗电流:小于1nA(典型值,在25°C)
  量子效率:大于70%(在峰值波长处)
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  供电电压:5V
  封装形式:陶瓷扁平封装

特性

GA0603H821JBAAT31G 的主要特性包括以下几点:
  1. 高灵敏度:芯片能够在较弱的光信号下依然保持较高的检测精度。
  2. 快速响应时间:由于采用了先进的材料和结构设计,这款光电二极管阵列可以实现毫秒级的响应速度。
  3. 低噪声:通过优化电路设计,该芯片具有较低的噪声水平,从而提高了信噪比。
  4. 宽波长覆盖范围:支持从紫外到近红外的宽波长检测需求。
  5. 稳定性好:即使在极端温度条件下,也能保持良好的性能稳定性。
  6. 小型化设计:紧凑的封装形式使其适合于空间受限的应用场景。

应用

该芯片的主要应用场景包括:
  1. 医学成像设备中的光学探测模块。
  2. 工业生产线上的产品表面缺陷检测系统。
  3. 光谱仪中的核心探测元件。
  4. 环境监测仪器中用于气体成分分析的光学传感器。
  5. 生物技术领域中的荧光检测与定量分析设备。
  6. 激光测量装置中的光强度监控单元。

替代型号

GA0603H821JBAAT32G, GA0603H821JBAAT33G

GA0603H821JBAAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容820 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数X8R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.038"(0.97mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-