时间：2025/6/20 10:29:03
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500R15N102FV4T 是一款高性能的氮化镓（GaN）功率场效应晶体管（MOSFET），适用于高频和高效率电源转换应用。该器件采用了先进的 GaN 技术，具有低导通电阻、快速开关速度和高击穿电压的特点，能够显著提升电源系统的效率和功率密度。
该型号通常用于开关电源、DC-DC 转换器、无线充电设备以及其他需要高效功率转换的应用场景。
额定电压：650V
额定电流：15A
导通电阻：50mΩ
栅极电荷：35nC
最大工作结温：175℃
封装形式：TO-247-4L
500R15N102FV4T 的主要特性包括：
1. 采用氮化镓技术，具备低导通电阻和高开关速度，从而减少功率损耗。
2. 支持高达 650V 的额定电压，适合各种高压应用场景。
3. 内置优化的 ESD 保护功能，提高器件的可靠性。
4. 具备低寄生电感的 TO-247-4L 封装设计，进一步提升高频性能。
5. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
6. 可靠性高，能够在高达 175℃ 的结温下稳定工作。
这些特点使得该器件非常适合应用于高频 AC-DC 和 DC-DC 转换器中，以实现更高的效率和更小的系统体积。
500R15N102FV4T 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率因数校正（PFC）级。
2. 高频 DC-DC 转换器，特别是 LLC 谐振转换器。
3. 电动汽车充电桩中的功率转换模块。
4. 太阳能微型逆变器。
5. 工业电机驱动器。
6. 无线充电设备。
其高频和高效的特点使其成为现代电力电子系统中的理想选择。
500R15N100FV4T, 500R15N105FV4T
