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SI2309DS 发布时间 时间:2025/5/23 2:32:32 查看 阅读:15

SI2309DS 是一款来自 Vishay Siliconix 的 N 沣 道 MOSFET 功率晶体管。该器件采用先进的半导体工艺制造,适用于需要高效能和低导通电阻的应用场景。其主要特点是低导通电阻、高开关速度以及优异的热性能。这款 MOSFET 常用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动和电源管理等应用领域。
  该器件封装形式为 SO-8,适合表面贴装技术(SMT),能够满足现代电子设备对小型化和高性能的需求。

参数

最大漏源电压:40V
  连续漏极电流:6.7A
  导通电阻(Rds(on)):5.5mΩ @ Vgs=10V
  栅极电荷:11nC
  总栅极电荷:17nC
  输入电容:1130pF
  输出电容:185pF
  反向恢复时间:9ns
  工作结温范围:-55℃ 至 +150℃

特性

SI2309DS 具有以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻 Rds(on),有助于降低功率损耗并提高系统效率。
  2. 高速开关能力,适合高频应用场合。
  3. 小型化的 SO-8 封装,便于 PCB 设计和生产。
  4. 出色的热性能,能够在高温环境下稳定运行。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
  6. 支持高电流密度,适用于大功率应用。
  7. 稳定可靠的电气性能,确保长时间运行无故障。

应用

SI2309DS 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流和功率转换。
  2. DC-DC 转换器中的功率开关。
  3. 电池管理系统(BMS)中的负载开关和保护电路。
  4. 消费类电子产品中的电机驱动和负载控制。
  5. 工业自动化设备中的电源管理和信号切换。
  6. 汽车电子系统中的电源开关和保护功能。
  7. 通信设备中的高效能功率转换模块。

替代型号

SI2302DS, IRF7406, FDN340P

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