SI2309DS 时间：2025/5/23 2:32:32 阅读：24

SI2309DS 是一款来自 Vishay Siliconix 的 N 沣道 MOSFET 功率晶体管。该器件采用先进的半导体工艺制造，适用于需要高效能和低导通电阻的应用场景。其主要特点是低导通电阻、高开关速度以及优异的热性能。这款 MOSFET 常用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动和电源管理等应用领域。
　　该器件封装形式为 SO-8，适合表面贴装技术（SMT），能够满足现代电子设备对小型化和高性能的需求。

参数

最大漏源电压：40V
　　连续漏极电流：6.7A
　　导通电阻（Rds(on)）：5.5mΩ @ Vgs=10V
　　栅极电荷：11nC
　　总栅极电荷：17nC
　　输入电容：1130pF
　　输出电容：185pF
　　反向恢复时间：9ns
　　工作结温范围：-55℃ 至 +150℃

特性

SI2309DS 具有以下关键特性：
　　1. 极低的导通电阻 Rds(on)，有助于降低功率损耗并提高系统效率。
　　2. 高速开关能力，适合高频应用场合。
　　3. 小型化的 SO-8 封装，便于 PCB 设计和生产。
　　4. 出色的热性能，能够在高温环境下稳定运行。
　　5. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
　　6. 支持高电流密度，适用于大功率应用。
　　7. 稳定可靠的电气性能，确保长时间运行无故障。

应用

SI2309DS 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和功率转换。
　　2. DC-DC 转换器中的功率开关。
　　3. 电池管理系统（BMS）中的负载开关和保护电路。
　　4. 消费类电子产品中的电机驱动和负载控制。
　　5. 工业自动化设备中的电源管理和信号切换。
　　6. 汽车电子系统中的电源开关和保护功能。
　　7. 通信设备中的高效能功率转换模块。