容量：4Mbit
　　组织结构：512K x 8
　　电源电压：2.3V - 3.6V
　　访问时间：55ns
　　封装类型：TSOP
　　工作温度：-40°C ~ +85°C
　　封装尺寸：54-Pin
　　接口类型：并行
　　最大工作频率：约18MHz
　　功耗：典型值为120mA（待机模式下电流为10mA）

HY628400ALR2-I 采用高速CMOS技术制造，具备快速存取时间和低功耗特性。其高速访问时间为55ns，能够满足需要快速数据读写的系统需求。该芯片支持异步操作，适用于多种嵌入式系统和实时控制系统。此外，HY628400ALR2-I 在工作电压范围（2.3V至3.6V）内具有良好的电压适应性，能够在不同电源条件下稳定运行。
　　芯片的封装为54-Pin TSOP，适合高密度PCB布局，且具备良好的散热性能。该SRAM芯片支持商业级和工业级温度范围（-40°C至+85°C），能够在恶劣环境下稳定工作。其低待机电流特性（10mA）有助于降低系统整体功耗，延长设备的电池续航时间。
　　HY628400ALR2-I 在设计上采用了先进的CMOS工艺，具有较高的抗干扰能力和稳定性，适合在高频、高速系统中使用。其并行接口支持快速的数据传输，适用于需要大量数据缓存的场景。

HY628400ALR2-I 主要应用于需要高速缓存和快速数据访问的嵌入式系统和工业设备。例如，在网络路由器、交换机、通信基站、工业控制器、医疗设备和测试仪器中都有广泛应用。此外，该芯片也可用于高性能音频和视频处理设备、嵌入式图像处理系统以及需要临时数据存储的控制系统中。由于其低功耗特性和宽工作温度范围，HY628400ALR2-I 也适用于户外设备和移动设备。

IS61LV5128AL-55B4I-QFL，CY7C1041CV33-55B4I-SX，IDT71V416SAG45PFGI