时间：2025/8/25 1:39:23
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FDD600N6-Z 是一款由 Fairchild（现为 ON Semiconductor）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件专为高效率电源应用而设计，具有低导通电阻（Rds(on)）和高耐压特性，适用于 DC-DC 转换器、同步整流、负载开关以及电机控制等应用。其采用先进的平面技术，提供优异的热性能和高可靠性。
类型：N 沟道 MOSFET
漏极-源极电压（Vds）：600 V
栅极-源极电压（Vgs）：±30 V
连续漏极电流（Id）：15 A（Tc=25°C）
导通电阻 Rds(on)：典型值 0.45 Ω（最大值 0.55 Ω）
功耗（Pd）：160 W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：TO-220
FDD600N6-Z 的主要特性之一是其出色的导通性能和开关特性，能够在高频率下运行而不牺牲效率。该器件具有较低的导通电阻，有助于降低功率损耗并提高系统效率。其高耐压能力（600V）使其适用于各种高电压应用场景，如工业电源、AC-DC 转换器和电机驱动器。
此外，该 MOSFET 采用了优化的封装设计，具有良好的热管理能力，可以在高功率负载下保持稳定工作温度。其 TO-220 封装便于安装在散热片上，从而提升散热效果。该器件的栅极驱动电压范围较宽，可在 10V 至 20V 之间正常工作，提供了良好的兼容性和设计灵活性。
该 MOSFET 还具备良好的抗雪崩能力，能够承受一定的瞬态过电压，增强了系统的可靠性和耐用性。它也适用于需要快速开关的应用，如高频逆变器和同步整流电路。FDD600N6-Z 的设计兼顾了性能与可靠性，是工业和消费类电源应用中的理想选择。
FDD600N6-Z 主要应用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、AC-DC 适配器、电机控制、照明驱动器以及工业自动化设备。由于其高耐压和低导通电阻的特性，它在电力电子变换系统中表现优异，特别是在需要高效率和高可靠性的场合。此外，该器件也可用于电池管理系统、不间断电源（UPS）和电动工具等应用中。
FQA16N60C、IRFBC40、STF15N60DM2、FDD600N6-ZA-F
