时间：2025/8/5 2:56:04
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GN1161-INTE3Z是一款由Giantec Semiconductor公司生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件适用于各种电源管理和功率转换应用，具备高效率、低导通电阻和快速开关特性。其封装形式为TO-252（DPAK），便于散热并适合紧凑型电路设计。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）：11A
最大漏-源电压（VDS）：60V
最大栅-源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大值为7.5mΩ（典型值可能更低）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-252（DPAK）
GN1161-INTE3Z MOSFET采用先进的沟槽技术，提供较低的导通电阻和优异的开关性能。该器件在高频应用中表现出色，能够有效降低开关损耗，提高整体系统效率。此外，其低热阻特性确保了良好的散热性能，使得该MOSFET能够在高负载条件下稳定运行。
该MOSFET具备高雪崩能量耐受能力，能够承受突发的高电压冲击，增强了系统的可靠性和耐用性。同时，其栅极驱动电压范围宽，兼容标准逻辑电平，便于与多种控制器和驱动电路配合使用。
GN1161-INTE3Z还具备良好的抗短路能力，能够在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏。这使其适用于对可靠性要求较高的工业电源、DC-DC转换器、负载开关和电机驱动等应用场景。
GN1161-INTE3Z广泛应用于各类电源管理系统和功率电子设备中，包括但不限于AC-DC电源适配器、DC-DC转换器、同步整流器、电池充电管理电路、负载开关控制、电机驱动器以及各类工业自动化控制系统。
由于其优异的导通特性和高频开关能力，该MOSFET也常用于高效率电源转换模块、LED照明驱动电路以及新能源领域的光伏逆变器和储能系统中。其良好的热性能和高可靠性使其成为汽车电子、工业控制、消费类电子等多个领域的理想选择。
SiSS1161N-T1-E3, AON6160, FDD8880, IPB116N06N3 G
