时间：2025/9/1 10:51:33
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HY5V66EF6P-6 是一款由Hynix（现为SK Hynix）生产的高速CMOS动态随机存取存储器（DRAM）芯片。该芯片属于EDO（Extended Data Out） DRAM类型，采用5V供电电压，适用于需要高速数据访问的计算机系统和嵌入式设备。HY5V66EF6P-6 采用TSOP（Thin Small Outline Package）封装形式，具有较高的集成度和稳定性。
容量：1MB
组织方式：256K x 4
电源电压：5V
访问时间：6ns
封装类型：TSOP
引脚数量：54
工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
接口类型：EDO DRAM
最大工作频率：166MHz
刷新方式：自动刷新
HY5V66EF6P-6 是一款专为高速数据访问设计的EDO DRAM芯片，具有较长的输出数据保持时间，能够在不降低性能的情况下提高系统效率。其CMOS工艺确保了低功耗和高稳定性，适合于需要持续运行的工业和通信设备。该芯片的TSOP封装形式有助于节省PCB空间并提高散热性能，适用于紧凑型电子设备的设计。
此外，HY5V66EF6P-6 支持标准的DRAM控制信号，如行地址选通（RAS）、列地址选通（CAS）和写使能（WE），方便与主控芯片进行接口。其自动刷新功能可确保数据在无需外部干预的情况下保持完整性，减少了系统设计的复杂性。该芯片还具备较高的抗干扰能力，能够在复杂的电磁环境中保持稳定运行，适用于工业控制、网络设备和通信基站等对可靠性要求较高的应用场景。
HY5V66EF6P-6 主要应用于需要高速缓存和临时数据存储的工业控制系统、通信设备、网络路由器、视频采集卡以及嵌入式处理平台。由于其高性能和稳定性，该芯片也常用于老式计算机主板、图形加速卡和工业PC中作为高速缓存使用。此外，该芯片还可用于测试设备、数据采集系统和自动化控制装置等场景，为这些设备提供快速可靠的数据存储支持。
TC55V66F6P-6, CY62V66E6P-6, A62V66E6P-6
