STB16NF06L 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特性,适合用于多种功率转换应用中。STB16NF06L 的额定电压为 60V,最大连续漏极电流为 16A,适用于需要高效能和低损耗的电路设计。
这款 MOSFET 通常用于 DC-DC 转换器、电机驱动、开关电源、负载开关以及电池管理等应用领域。
最大漏源电压:60V
最大连续漏极电流:16A
最大栅极源极电压:±20V
导通电阻(典型值,在 Vgs=10V 时):9.5mΩ
总功耗:43W
工作温度范围:-55°C 至 175°C
封装形式:TO-220AC
STB16NF06L 具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻,有助于降低功率损耗并提高系统效率。
2. 快速开关性能,支持高频操作,减少磁性元件的尺寸。
3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
4. 符合 RoHS 标准,环保且无铅。
5. 工作结温范围宽广,适应恶劣的工作环境。
6. 内置反向二极管,简化电路设计并提供额外保护功能。
这些特点使得 STB16NF06L 成为高性能功率转换应用的理想选择。
STB16NF06L 广泛应用于以下场景:
1. 开关模式电源(SMPS),包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2电机驱动。
3. 电池管理系统(BMS),用于保护锂电池组免受过流或短路影响。
4. 负载开关和保护电路,确保电子设备的安全运行。
5. 汽车电子领域中的各种功率控制模块。
其强大的电气特性和广泛的适用性使其成为众多工业及消费类电子产品设计中的关键组件。
STB18NF06L, IRFZ44N, FDP5570N