IXDN504PI 时间：2025/8/6 12:11:39 阅读：32

IXDN504PI 是由 IXYS 公司生产的一款高速、低侧 MOSFET 驱动器集成电路。该器件设计用于驱动高功率 MOSFET 和 IGBT 器件，广泛应用于开关电源、电机控制、逆变器和 DC-DC 转换器等电力电子系统中。该驱动器采用标准的 8 引脚 DIP 封装，适用于工业级温度范围。

参数

供电电压：10V 至 20V
　　输出电流：±4A（峰值）
　　传播延迟：17ns（典型值）
　　上升时间：7ns（典型值）
　　下降时间：6ns（典型值）
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装类型：8 引脚 PDIP

特性

IXDN504PI 的核心特性之一是其极低的传播延迟和快速的上升/下降时间，这使得该器件非常适合用于高频开关应用。其 ±4A 的峰值输出电流能力可以有效驱动大功率 MOSFET 和 IGBT，降低开关损耗并提高系统效率。该驱动器还具备宽输入电压范围（10V 至 20V），提供了良好的设计灵活性。
　　此外，IXDN504PI 具备较强的抗干扰能力，能够在高噪声环境下稳定工作。其输出级采用图腾柱结构，确保输出信号的快速转换并减少交叉导通风险。该器件还内置了欠压锁定（UVLO）功能，当电源电压低于安全阈值时，会自动关闭输出以保护功率器件。
　　由于其采用标准的 8 引脚 DIP 封装，IXDN504PI 易于在原型设计和 PCB 设计中使用，同时兼容工业级温度范围（-40°C 至 +125°C），适用于各种恶劣工作环境。

应用

IXDN504PI 主要应用于需要高速、高效率驱动功率器件的场合，如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、逆变器、电机驱动器、不间断电源（UPS）以及工业自动化控制系统等。其快速响应和高输出驱动能力使其成为高性能电力电子系统中的理想选择。此外，该器件也常用于功率因数校正（PFC）电路和半桥/全桥拓扑结构中的低侧驱动应用。