时间：2025/9/11 15:53:16
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KU3600DN10RZ 是一款由 KEC（高荣电子）制造的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高效率电源转换应用。这款 MOSFET 设计用于处理较高的电流和电压，具有低导通电阻和高功率耗散能力，适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统和马达控制电路。
类型：N 沟道 MOSFET
漏极-源极电压（Vds）：30V
栅极-源极电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：120A
导通电阻（Rds(on)）：约 3.2mΩ（典型值）
功耗（Pd）：160W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-252（DPAK）
KU3600DN10RZ 以其低导通电阻（Rds(on)）而著称，这使得在高电流下导通损耗最小化，提高了系统的整体效率。
该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，提供了优异的热稳定性和可靠性。
其高电流处理能力（高达 120A）使其非常适合用于高功率密度的设计中。
此外，该 MOSFET 的封装形式（TO-252）有助于良好的散热性能，适用于表面贴装技术（SMT），便于自动化生产。
器件还具有出色的抗雪崩能力和高耐用性，适用于各种工业和汽车电子应用。
KU3600DN10RZ 主要用于电源管理领域，包括但不限于同步整流器、DC-DC 转换器、电机控制器、电池充电器、负载开关以及需要高效率功率转换的系统。
由于其高电流能力和良好的热性能，它也常用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统和电池管理系统。
此外，该器件还可用于工业自动化设备、服务器电源和消费类电子产品中的功率管理电路。
IRF1324L2PBF, SiR3442ADP, FDP3632S
