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ZXM61N02FTC 发布时间 时间:2025/7/2 13:27:00 查看 阅读:36

ZXM61N02FTC是一款由Infineon(英飞凌)生产的N沟道增强型MOSFET晶体管。该器件采用小型化的TO-252/DPAK封装形式,适合于空间受限的电路设计。其主要应用领域包括开关电源、DC-DC转换器、负载开关以及电机驱动等场景。由于其低导通电阻和高效率的特点,该MOSFET在功率管理电路中表现尤为出色。
  该型号具备出色的电气性能,能够承受较高的电压和电流,并且具有快速的开关速度,非常适合高频开关应用场景。此外,其内置的ESD保护功能也提升了器件的可靠性。

参数

最大漏源极电压:60V
  最大漏极电流:27A
  导通电阻(典型值):4.8mΩ
  栅极电荷(典型值):13nC
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装类型:TO-252/DPAK

特性

ZXM61N02FTC的主要特性包括以下几点:
  1. 极低的导通电阻,有助于降低功率损耗并提升系统效率。
  2. 高额定电流能力,确保在大电流条件下稳定运行。
  3. 快速开关性能,支持高频操作,适用于开关电源和其他高频电路。
  4. 高雪崩击穿能力和ESD保护设计,增强了器件的可靠性和耐用性。
  5. TO-252/DPAK封装形式,提供良好的热性能和电气连接,同时节省PCB板空间。
  6. 广泛的工作温度范围,使其能够在各种恶劣环境下正常工作。

应用

ZXM61N02FTC广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的功率开关元件。
  2. DC-DC转换器中的同步整流或主开关。
  3. 各种负载开关应用,如电池供电设备中的电源控制。
  4. 电机驱动电路,用于控制小型直流电机或步进电机。
  5. 过流保护电路及电子保险丝。
  6. 工业自动化设备中的功率管理模块。

替代型号

ZXM61N02FTA, ZXM61N02FTD

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ZXM61N02FTC参数

  • 标准包装10,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C1.7A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C180 毫欧 @ 930mA,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)700mV @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs3.4nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds160pF @ 15V
  • 功率 - 最大625mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3
  • 包装带卷 (TR)