容量：256Kbit（32K x 8）
　　电源电压：2.3V 至 3.6V
　　访问时间：10ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装形式：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　封装引脚数：52 引脚
　　输入/输出电压兼容性：CMOS/TTL 兼容
　　工作电流（最大）：120mA
　　待机电流（最大）：10mA

LH52B256N10TLL 是一款高性能异步SRAM芯片，具有10ns的快速访问时间，适合对响应速度有较高要求的应用。该芯片支持宽电压范围（2.3V至3.6V），适应多种电源系统，同时具备低功耗特性，在待机模式下电流消耗极低，有助于延长设备的电池寿命。其工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于严苛的工业环境。该器件采用52引脚TSOP封装，体积小巧，便于在高密度PCB设计中使用。此外，LH52B256N10TLL 支持CMOS和TTL电平兼容，能够方便地与各种微控制器和数字系统接口连接。其内部结构采用高稳定性存储单元，确保数据在长时间运行中的可靠性，适用于要求高稳定性的嵌入式系统和通信设备。
　　LH52B256N10TLL 还具备良好的抗干扰能力和数据保持稳定性，在高频操作中不易出现数据错误。此外，其封装设计符合RoHS环保标准，满足现代电子产品对环境保护的要求。这款SRAM芯片非常适合用于数据缓冲、高速缓存、图形显示控制器、网络设备和便携式电子设备。

LH52B256N10TLL 常用于需要高速数据存取和低功耗特性的嵌入式系统中，如工业自动化控制设备、通信模块（如路由器、交换机）、消费类电子产品（如智能仪表、手持设备）、图形显示系统（如LCD控制器）以及各种需要临时数据存储的微控制器系统。此外，该芯片也适用于需要高可靠性和宽温范围的汽车电子系统和医疗设备。

LH52B256N10TLL 可以被 LH52B256N-10LL、IS61LV25616ALB4-10TLI、CY62148EVLL、A2B256N10LL 等型号替代。这些型号在容量、访问速度、电源电压范围和封装形式方面具有相似特性，可根据具体设计需求进行选用。