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HA0630-8R2MTA00 发布时间 时间:2025/5/22 17:00:22 查看 阅读:6

HA0630-8R2MTA00 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率转换芯片,主要用于高频开关电源、DC-DC转换器以及充电器等应用领域。该芯片采用了先进的封装工艺和电路设计,能够显著提升功率密度并降低能量损耗。其内置了驱动器和保护功能,使得外围电路设计更加简化。

参数

型号:HA0630-8R2MTA00
  额定电压:650V
  额定电流:8A
  导通电阻:25mΩ
  最大工作频率:1MHz
  结温范围:-40℃至+150℃
  封装形式:TO-252(DPAK)

特性

HA0630-8R2MTA00 具备低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著提高系统效率。其采用增强型氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)技术,在高频应用中表现出优异的性能。
  该芯片集成了多种保护功能,包括过流保护、过温保护以及短路保护,确保在异常工况下的可靠性。
  此外,HA0630-8R2MTA00 的紧凑型封装和较低的寄生电感使其非常适合用于小型化和高密度设计的应用场景。

应用

HA0630-8R2MTA00 主要应用于高频开关电源、适配器、快充设备、服务器电源模块、LED驱动器以及工业自动化控制中的高效功率转换环节。它特别适合需要高效率、小体积的场合,例如消费类电子产品的充电器和便携式设备的电源解决方案。

替代型号

HA0630-8R2MTA10, HA0630-10R2MTA00

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