类型：双极性晶体管（BJT）阵列
　　晶体管数量：4个
　　最大集电极-发射极电压（Vceo）：30V
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大功耗（Ptot）：200mW
　　增益（hFE）：110（最小值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SIP（单列直插式封装）或SMT（表面贴装）

KRC158F 的一大特点是其集成化的晶体管阵列设计，内部包含4个独立的晶体管，适用于多路信号处理和控制电路。每个晶体管具有相同的电气特性，确保了在多路应用中的性能一致性。其最大集电极-发射极电压为30V，最大集电极电流为100mA，适用于中低功率的电子系统设计。
　　KRC158F 的封装形式通常为SIP（单列直插式封装），适合在印刷电路板（PCB）上使用，提供良好的机械稳定性和电气性能。该器件的增益（hFE）最低为110，表明其具有较高的电流放大能力，能够有效驱动负载或控制电路中的其他元件。
　　此外，KRC158F 的最大功耗为200mW，在正常工作条件下能够保持较低的发热水平，确保了器件的稳定性和长寿命。它的工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于广泛的工业和消费类电子产品，能够在各种环境条件下可靠运行。

KRC158F 广泛应用于需要多个晶体管的电路设计中，例如多路信号处理、逻辑控制、驱动电路和接口电路等。在数字电路中，KRC158F 可用于实现多路逻辑门或信号放大功能。在模拟电路中，它可以作为多路放大器或开关使用，提供高效的信号处理能力。此外，KRC158F 还常用于工业自动化控制系统、消费类电子产品和通信设备中，帮助实现紧凑的电路布局和高性能的电子功能。

ULN2003A, KRC157F, KRC156F