时间：2025/7/9 18:41:41
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NCV5501DT50RKG 是一款由安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，专为汽车级应用设计。该器件采用DPAK封装，具有低导通电阻和高电流承载能力，适合用于负载开关、DC-DC转换器以及电机驱动等应用。其优异的热性能和电气特性使其成为高性能功率管理的理想选择。
NCV5501系列以其坚固的设计和可靠性满足了汽车电子环境中的严苛要求，支持AEC-Q101认证，确保在极端温度范围内的稳定运行。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：42A
导通电阻（典型值）：2.6mΩ
栅极电荷：28nC
工作温度范围：-55℃至175℃
封装类型：TO-252 (DPAK)
功耗：14W
漏源击穿电压：30V
NCV5501DT50RKG具备以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可有效降低功率损耗并提高系统效率。
2. 优化的栅极电荷设计，有助于实现快速开关和减少开关损耗。
3. 高电流处理能力，适用于需要大功率输出的应用场景。
4. 符合AEC-Q101标准，确保器件在恶劣汽车环境中可靠运行。
5. 支持宽温度范围操作，适应各种极端环境条件。
6. 热稳定性强，能够承受较高的结温而不影响性能。
7. 提供短路保护功能，增强了系统的安全性。
NCV5501DT50RKG主要应用于以下领域：
1. 汽车电子系统中的负载开关和保护电路。
2. DC-DC转换器及逆变器设计。
3. 电机控制和驱动电路。
4. 开关电源（SMPS）中作为功率开关元件。
5. 电池管理系统中的充放电控制。
6. 工业自动化设备中的功率调节模块。
由于其出色的电气特性和可靠性，该器件非常适合需要高效率和高可靠性的应用场景。
NCV5501DTRKG, NCV5501GTRKG
