HM628512ALTT7 是一款由 Hitachi(现为 Renesas)制造的高速静态随机存取存储器(SRAM),容量为 512K x 8 位,采用异步设计,适用于需要快速数据访问和低功耗的应用场景。该芯片广泛应用于通信设备、工业控制、嵌入式系统等领域。
容量:512K x 8 位
电压:3.3V 或 5V 可选
访问时间:55ns、70ns 等多个版本可选
封装形式:TSOP(Thin Small Outline Package)
工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
数据保持电压:最低 2V(用于数据保持模式)
封装引脚数:54 引脚
HM628512ALTT7 是一款高性能异步SRAM芯片,其主要特性包括高速访问时间和低功耗设计。该芯片的访问时间可根据不同版本分别为55ns、70ns等,适用于对读写速度有较高要求的系统应用。支持3.3V或5V的电源电压,使其在多种系统环境中具备良好的兼容性。此外,该芯片还具备数据保持模式,当电压下降至2V时仍可维持数据不丢失,适合低功耗或待机应用场景。
芯片采用TSOP封装形式,具有良好的散热性能和空间节省优势,适用于高密度电路设计。其工业级工作温度范围(-40°C至+85°C)也确保了在严苛环境下的稳定运行。HM628512ALTT7具备良好的抗干扰能力和稳定性,适合用于需要长期运行和高可靠性的设备。
HM628512ALTT7 通常用于需要大容量高速缓存的嵌入式系统、网络设备、通信模块、工业控制器、打印机和图像处理设备等。由于其低功耗和高稳定性,也常被用于便携式设备和远程监控系统中。该芯片在各种工业和通信应用中发挥着关键作用,特别是在要求高数据吞吐率和快速响应时间的系统中。
CY62157EV30LL-55BTR, IS62WV5128BLL-55BIR, IDT71V433S12PHG, A62F85128LLV-62