时间：2025/5/19 11:57:58
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FDP075N15A-F102 是一款基于 MOSFET 技术的功率场效应晶体管，专为高效率、高性能开关应用设计。该型号由 Fairchild Semiconductor（现为 ON Semiconductor）制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种工业及消费类电子领域。
这款器件采用 N 沟道增强型结构，能够显著减少传导损耗并提升系统效率，同时具备出色的热性能和耐用性，使其成为功率转换电路中的理想选择。
最大漏源电压：150V
最大连续漏极电流：75A
导通电阻：1.6mΩ（典型值，Vgs=10V时）
栅极电荷：85nC（典型值）
开关时间：ton=95ns，toff=35ns（典型值）
工作结温范围：-55℃至+175℃
封装形式：D2PAK（TO-263）
FDP075N15A-F102 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，有助于降低功率损耗。
2. 高额定电流能力，适合大功率应用。
3. 快速开关速度，减少开关损耗。
4. 优化的栅极电荷特性，改善驱动效率。
5. 出色的雪崩能力和鲁棒性，确保在严苛条件下稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准，支持环保要求。
这些特点使它非常适合用于高频开关电源、电机驱动器、DC/DC 转换器以及其他需要高效功率管理的场合。
FDP075N15A-F102 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS），如 AC/DC 和 DC/DC 转换器。
2. 逆变器和不间断电源（UPS）。
3. 工业电机驱动与控制。
4. 太阳能微逆变器和其他可再生能源相关设备。
5. 各种汽车电子系统中的负载切换功能。
由于其强大的性能表现和可靠性，该器件在许多高功率密度的设计中被优先考虑。
FDP150N15A, IRFB7540PBF, STW75NM150
