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MTM78E2B0LBF 发布时间 时间:2025/5/9 18:05:05 查看 阅读:5

MTM78E2B0LBF是一款高性能、低功耗的射频前端模块,广泛应用于无线通信系统。该模块集成了功率放大器(PA)、低噪声放大器(LNA)、开关和滤波器等功能,旨在提高系统的整体性能和集成度。
  通过优化的设计,MTM78E2B0LBF能够在特定频段内提供高效的信号处理能力,同时保持较低的功耗水平。其封装形式紧凑,非常适合对空间要求严格的现代电子设备。

参数

工作频率:902-928 MHz
  输出功率:+23 dBm
  电源电压:1.8V - 3.6V
  静态电流:40mA
  待机电流:1uA
  增益:30dB
  封装形式:QFN24

特性

MTM78E2B0LBF具备多项突出特性:
  1. 高效率:在高输出功率下仍能保持较高的工作效率,有助于延长电池供电设备的续航时间。
  2. 低功耗设计:在待机模式下的电流消耗极低,非常适合便携式和物联网设备。
  3. 集成度高:将多种功能组件集成到单一模块中,简化了电路设计并减少了外围元件的数量。
  4. 稳定性好:即使在极端温度条件下,也能保持稳定的性能表现。
  5. 易于使用:提供简单的控制接口,便于与主控芯片进行通信和配置。
  6. 抗干扰能力强:内置滤波器能够有效抑制带外干扰,提升接收灵敏度。

应用

MTM78E2B0LBF主要应用于以下领域:
  1. 物联网(IoT)设备
  2. 智能家居系统
  3. 无线传感器网络
  4. 远程监控装置
  5. 工业自动化控制
  6. 车载短距离通信
  7. 医疗健康监测设备
  这款模块因其高效能和低功耗的特点,特别适合需要长时间运行且对能耗敏感的应用场景。

替代型号

MTM78E2B1LBF, MTM78E2C0LBF

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MTM78E2B0LBF参数

  • 数据列表MTM78E2B0LBF View All Specifications
  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C25 毫欧 @ 2A,4V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.3V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs-
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1100pF @ 10V
  • 功率 - 最大150mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳WS迷你型8-F1-B
  • 供应商设备封装W迷你型8-F1
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称MTM78E2B0LBFTR