DVSA2815D是一款高性能的功率MOSFET,采用N沟道增强型设计。该器件具有较低的导通电阻和较高的开关速度,适用于多种高效率电源转换应用。DVSA2815D的封装形式为TO-252(DPAK),能够有效降低热阻并提升散热性能。
这款功率MOSFET广泛应用于DC-DC转换器、开关电源、电机驱动、负载开关以及其他需要高效能功率管理的场景中。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:30A
导通电阻(典型值):2.8mΩ
栅极电荷:39nC
总电容(输入+输出):220pF
工作温度范围:-55℃至175℃
DVSA2815D具备以下主要特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少导通损耗并提高系统效率。
2. 高速开关性能,适合高频应用场合。
3. 优异的热稳定性,能够承受高温工作环境。
4. 内置反向恢复二极管,可有效降低开关噪声。
5. 符合RoHS标准,环保且可靠。
6. 具备强大的浪涌电流能力,增强了器件的耐用性。
7. 紧凑的TO-252封装,简化了PCB布局设计。
DVSA2815D适用于以下应用场景:
1. 各类开关模式电源(SMPS)中的功率级开关。
2. DC-DC转换器,包括降压、升压以及升降压拓扑结构。
3. 电池管理系统中的负载开关。
4. 汽车电子领域中的电机驱动与控制。
5. 工业自动化设备中的功率转换模块。
6. 可再生能源系统中的逆变器和变换器组件。
IRFZ44N
STP30NF06
FDP15N30