时间：2025/9/2 3:49:01
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H9CCNNN8GTMLAR-NTD 是一颗由SK Hynix（海力士）生产的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。这款DRAM芯片主要用于高性能计算、移动设备、嵌入式系统以及其他需要快速数据存储和访问的应用场景。H9CCNNN8GTMLAR-NTD 属于LPDDR4（低功耗双倍数据速率第四代）系列，提供了较高的存储密度和能效比，适用于现代便携式电子设备。
类型: DRAM
存储容量: 8Gb
电压: 1.1V（VDD）, 1.8V（VDDQ）
数据速率: 3200Mbps
封装类型: FBGA
引脚数: 168
工作温度: -40°C ~ +85°C
时钟频率: 1600MHz
数据宽度: 16位
封装尺寸: 9.0mm x 11.0mm
工艺技术: 20nm 制程
接口标准: LPDDR4
H9CCNNN8GTMLAR-NTD 是一款高性能、低功耗的LPDDR4 SDRAM芯片，适用于对功耗和性能都有较高要求的应用场景。其3200Mbps的数据速率使其能够满足现代移动设备和嵌入式系统的高速数据处理需求。该芯片采用了先进的20nm制程工艺，显著降低了芯片的功耗，同时提升了存储密度，使得在有限的物理空间内实现更大的内存容量成为可能。
此外，该芯片支持多种电源管理模式，包括自刷新和深度掉电模式，以进一步优化功耗。在电压设计上，该芯片采用1.1V的主电源（VDD）和1.8V的I/O电源（VDDQ），这有助于在不同的工作条件下保持稳定的性能。
H9CCNNN8GTMLAR-NTD 广泛应用于需要高性能、低功耗内存的设备中。例如，它常见于智能手机和平板电脑等移动设备，作为主内存（RAM）提供快速的数据访问能力。此外，该芯片也适用于嵌入式系统、汽车电子设备、便携式游戏设备以及高性能计算模块（如单板计算机和嵌入式开发平台）。由于其优异的能效比，它也非常适合用于需要长时间运行且对电池寿命有严格要求的设备。
H9HCNNN8GTMLVR-NTD, H9HQNNN8GDMLYR-NEC
