ECN3051PL 时间：2025/9/7 16:59:47 阅读：10

ECN3051PL 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和开关电路中。该器件采用 TO-220 封装，具备高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性，适合用于 DC-DC 转换器、电源开关、电机控制和负载开关等应用。ECN3051PL 在设计上优化了开关性能和导通损耗，以满足高效率和高可靠性的需求。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压 Vds：500V
　　最大漏极电流 Id：5A（连续）
　　最大栅源电压 Vgs：±30V
　　导通电阻 Rds(on)：最大 1.9Ω（在 Vgs = 10V 时）
　　最大功耗 Pd：83W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220

特性

ECN3051PL 具备多项优异特性，使其在功率开关应用中表现出色。首先，其漏源电压额定值为 500V，能够承受较高的电压应力，适用于高压电源转换器和开关电源（SMPS）设计。其次，该器件的最大连续漏极电流为 5A，可在中等功率应用中提供足够的电流承载能力。此外，ECN3051PL 的导通电阻 Rds(on) 最大为 1.9Ω，在 Vgs = 10V 的驱动条件下，能够有效降低导通损耗，提高系统效率。该器件的 TO-220 封装具备良好的散热性能，有助于提升热稳定性和长期可靠性。ECN3051PL 还具备出色的雪崩能量耐受能力，可在负载突变或电感反冲情况下提供额外的保护。其栅极驱动电压范围宽（最高 ±30V），兼容多种驱动电路设计。综合这些特性，ECN3051PL 是一款适用于工业电源、电机驱动、LED 照明和家电控制等领域的高性能功率 MOSFET。
　　该器件的热阻（结到壳）约为 1.2°C/W，使其在高功率运行时仍能保持较低的温度上升。此外，ECN3051PL 的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，提高高频应用的效率。其封装设计符合 RoHS 标准，适用于环保电子产品的制造。

应用

ECN3051PL 常用于各种功率电子系统中，如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、AC-DC 适配器、LED 照明驱动电路、电机控制模块和工业自动化设备中的负载开关。此外，它也可用于电池管理系统（BMS）、电源管理单元（PMU）以及需要高压、中等电流开关能力的消费类电子产品中。由于其良好的热性能和高可靠性，ECN3051PL 也适用于环境温度较高或散热条件有限的应用场景。