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H9TKNNN2GDMPLR-NDM 发布时间 时间:2025/9/2 12:29:33 查看 阅读:8

H9TKNNN2GDMPLR-NDM 是由SK Hynix(海力士)生产的一款高密度NAND闪存芯片,属于其NAND闪存产品系列的一部分。这款芯片主要用于嵌入式系统、SSD(固态硬盘)、移动设备等需要大容量非易失性存储的应用场合。H9TKNNN2GDMPLR-NDM 采用了先进的制造工艺,具有较高的存储密度和可靠性。

参数

容量:256GB
  接口类型:ONFI 3.0 / Toggle Mode 2.0
  电压:1.8V / 3.3V
  封装形式:TSOP
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  擦写周期:3000次
  数据保持时间:10年

特性

H9TKNNN2GDMPLR-NDM NAND闪存芯片具有多项显著的性能特点。首先,它提供了256GB的大容量存储,适用于需要高存储密度的应用场景,如高端智能手机、平板电脑、固态硬盘和嵌入式系统。该芯片支持ONFI 3.0和Toggle Mode 2.0两种接口协议,能够实现高速数据读写操作,读写速度可达400MB/s以上,满足高性能存储需求。
  此外,H9TKNNN2GDMPLR-NDM采用了先进的纠错技术(ECC),能够有效提升数据的可靠性和稳定性。它支持3000次的P/E(编程/擦除)周期,具备较长的使用寿命。同时,该芯片的数据保持时间长达10年,在高温环境下也能稳定工作,适用于工业级和车载应用。
  为了适应不同的应用需求,H9TKNNN2GDMPLR-NDM 提供了多种封装形式选择,包括TSOP,方便集成到各类电路设计中。其工作温度范围为-40°C至+85°C,能够在各种恶劣环境中稳定运行。

应用

H9TKNNN2GDMPLR-NDM NAND闪存芯片广泛应用于多个领域。在消费电子方面,它常用于高端智能手机、平板电脑和笔记本电脑中,作为系统存储或用户数据存储介质。在工业控制和自动化设备中,该芯片可用于存储固件、配置文件和运行数据,满足高可靠性需求。
  此外,H9TKNNN2GDMPLR-NDM 也适用于固态硬盘(SSD)的设计和制造,特别是在mSATA SSD、U.2 SSD 和企业级SSD中,能够提供高性能和高可靠性的存储解决方案。在汽车电子领域,该芯片可用于车载导航系统、行车记录仪和车载娱乐系统,支持在复杂环境下的稳定运行。

替代型号

H9TNNN88GDMUR-EM_Samsung K9WBG08U5A-PCBO2

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