您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > APT50GN60BG

APT50GN60BG 发布时间 时间:2025/7/22 12:01:03 查看 阅读:7

APT50GN60BG 是一款由 Microsemi(现为 Microchip 子公司)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET,主要用于高功率开关应用。这款 MOSFET 具有高耐压、低导通电阻和高可靠性等特点,适用于工业电源、电动工具、电动车和电机控制等场景。

参数

类型:N 沟道增强型 MOSFET
  最大漏源电压(Vds):600V
  最大漏极电流(Id):50A
  导通电阻(Rds(on)):0.17Ω
  栅极电荷(Qg):140nC
  封装类型:TO-247
  工作温度范围:-55°C 至 150°C

特性

APT50GN60BG 以其高性能和高可靠性著称。首先,它具有 600V 的漏源耐压能力,适用于高电压应用环境,能够在恶劣条件下稳定工作。其次,该器件的导通电阻仅为 0.17Ω,降低了导通损耗,提高了整体系统效率。
  此外,APT50GN60BG 的最大漏极电流可达 50A,支持高功率输出,适用于高电流负载的场景,如电机驱动和电源转换器。其栅极电荷为 140nC,意味着在开关过程中所需的驱动能量较低,有助于减少开关损耗并提高开关频率。
  该器件采用 TO-247 封装,具有良好的散热性能,适用于需要高功率密度的设计。其工作温度范围为 -55°C 至 150°C,具备较强的环境适应能力,适用于工业、车载和户外设备等复杂工作环境。
  APT50GN60BG 还具备较高的短路耐受能力,可在异常情况下提供一定的保护作用,增强系统的稳定性与安全性。

应用

APT50GN60BG 广泛应用于多个领域,包括但不限于工业电源、电机控制、电动车控制器、逆变器、UPS(不间断电源)、太阳能逆变器以及高功率开关电源等。其高耐压、低导通电阻和大电流承载能力使其成为高性能功率转换系统的理想选择。

替代型号

IXFH50N60P、APT50GT60BG、STP55NM60N、IRGPC50K

APT50GN60BG推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

APT50GN60BG资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

APT50GN60BG产品

APT50GN60BG参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列-
  • IGBT 类型沟道和场截止
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)600V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)1.85V @ 15V,50A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)107A
  • 功率 - 最大366W
  • 输入类型标准型
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装TO-247 [B]
  • 包装管件
  • 其它名称APT50GN60BGMIAPT50GN60BGMI-ND