时间：2025/7/22 12:01:03
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APT50GN60BG 是一款由 Microsemi（现为 Microchip 子公司）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，主要用于高功率开关应用。这款 MOSFET 具有高耐压、低导通电阻和高可靠性等特点，适用于工业电源、电动工具、电动车和电机控制等场景。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：600V
最大漏极电流（Id）：50A
导通电阻（Rds(on)）：0.17Ω
栅极电荷（Qg）：140nC
封装类型：TO-247
工作温度范围：-55°C 至 150°C
APT50GN60BG 以其高性能和高可靠性著称。首先，它具有 600V 的漏源耐压能力，适用于高电压应用环境，能够在恶劣条件下稳定工作。其次，该器件的导通电阻仅为 0.17Ω，降低了导通损耗，提高了整体系统效率。
此外，APT50GN60BG 的最大漏极电流可达 50A，支持高功率输出，适用于高电流负载的场景，如电机驱动和电源转换器。其栅极电荷为 140nC，意味着在开关过程中所需的驱动能量较低，有助于减少开关损耗并提高开关频率。
该器件采用 TO-247 封装，具有良好的散热性能，适用于需要高功率密度的设计。其工作温度范围为 -55°C 至 150°C，具备较强的环境适应能力，适用于工业、车载和户外设备等复杂工作环境。
APT50GN60BG 还具备较高的短路耐受能力，可在异常情况下提供一定的保护作用，增强系统的稳定性与安全性。
APT50GN60BG 广泛应用于多个领域，包括但不限于工业电源、电机控制、电动车控制器、逆变器、UPS（不间断电源）、太阳能逆变器以及高功率开关电源等。其高耐压、低导通电阻和大电流承载能力使其成为高性能功率转换系统的理想选择。
IXFH50N60P、APT50GT60BG、STP55NM60N、IRGPC50K
