H55S2G32MFR-60 是一款由Hynix(现为SK hynix)生产的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于SDRAM(同步动态随机存取存储器)类别。这款芯片被广泛应用于需要中等容量高速存储的设备中,例如消费类电子产品、工业控制系统、网络设备和嵌入式系统。该芯片采用FBGA(Fine-Pitch Ball Grid Array)封装,具有较小的尺寸和较高的集成度,适合空间受限的设计场景。
容量:256MB
组织结构:16M x 16
电压:2.3V - 3.6V
时钟频率:60MHz
封装类型:FBGA
引脚数量:54
数据宽度:16位
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
H55S2G32MFR-60 作为一款高性能的DRAM芯片,具有多个显著的技术特性。首先,其容量为256MB,组织结构为16M x 16,这种设计能够提供足够的存储空间,同时保持较高的数据访问效率。其次,该芯片支持2.3V至3.6V的宽电压范围,使其在不同电源条件下都能稳定运行,适用于多种应用场景,包括电池供电设备和工业控制系统。
此外,H55S2G32MFR-60 的最大时钟频率为60MHz,能够在高速数据传输需求中提供可靠的性能支持。其同步动态存储架构确保了数据读写操作与系统时钟的同步,提高了整体系统的稳定性和效率。FBGA封装形式不仅减小了芯片的物理尺寸,还优化了热管理和电气性能,适用于高密度电路板设计。
H55S2G32MFR-60 由于其高性能和高可靠性,被广泛应用于多个领域。在消费类电子产品中,它常用于数字电视、机顶盒、智能家电等设备,为这些设备提供快速的数据存储和访问能力。在工业控制领域,该芯片可用于PLC(可编程逻辑控制器)、工业计算机和自动化设备,支持实时数据处理和系统稳定运行。
IS42S16100D-6BLI, MT48LC16M2A2B4-6A, K4S641632K-TC75