时间：2025/9/2 23:24:53
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SPAK840FE是一款由STMicroelectronics（意法半导体）推出的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，专为高频率开关应用而设计。该器件采用先进的平面条形技术，提供低导通电阻和高开关性能，适合用于电源转换、DC-DC变换器、电机控制以及负载开关等应用场景。SPAK840FE封装形式为PowerFLAT 5x6，具备优良的热管理和小型化设计，适合现代电子设备对高效率和空间紧凑的需求。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：60A
漏极-源极击穿电压（VDS）：100V
栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大10.5mΩ（在VGS=10V时）
最大功耗（PD）：94W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：PowerFLAT 5x6
SPAK840FE具有多项优异的电气和机械特性，使其在高性能功率转换系统中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）能够显著降低导通损耗，提高整体系统效率。此外，该器件采用了先进的平面条形技术，确保了在高频率工作条件下的稳定性和可靠性。SPAK840FE的栅极电荷（Qg）较低，有助于加快开关速度，从而减少开关损耗，适合高频应用环境。器件的封装设计具备优异的热管理能力，能够有效散热，确保在高负载条件下仍能稳定运行。此外，SPAK840FE的封装形式为无铅环保型，符合RoHS标准，适用于环保要求较高的电子产品制造。
SPAK840FE广泛应用于多种功率电子系统中，包括DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统、电源管理模块以及汽车电子系统。其高效率和紧凑封装使其特别适用于需要高功率密度和低功耗的便携式设备和车载设备。在工业自动化和智能电网系统中，SPAK840FE也常用于高效能电源转换和负载控制。此外，该器件还可用于功率因数校正（PFC）电路和高频率逆变器，满足现代电子设备对高效能、小体积和高可靠性的严格要求。
IPB045N10N5, FDP840H, STP840FA, SPAK840FA
