时间：2025/7/4 5:28:33
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NTD6416ANT是一种N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路中。该器件采用TO-252封装，具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关特性。其设计优化了效率和散热性能，适用于多种功率转换应用。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：16A
导通电阻：7.5mΩ
总栅极电荷：25nC
开关速度：快速
封装类型：TO-252
NTD6416ANT的低导通电阻使其在高电流应用中表现出较低的功耗。同时，其快速开关特性减少了开关损耗，提高了效率。
该器件能够在高频条件下保持稳定工作，非常适合于DC-DC转换器、负载开关和电机控制等应用。
此外，TO-252封装提供了良好的散热性能，增强了器件的可靠性。
NTD6416ANT主要应用于开关电源、电机驱动、电池保护电路以及负载开关等领域。
在消费电子领域，它常被用于笔记本电脑适配器、平板充电器和LED驱动器中。
工业应用方面，该器件可用于工业自动化设备中的电源管理和信号切换。
由于其出色的性能，也适用于汽车电子中的非关键性电路。
NTD6418NPT
IRFZ44N
FDP5570
AO3400
