类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：40V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：340A（在25°C）
　　功耗（Pd）：300W
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装类型：TO-263（D2Pak）或TO-247
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值为2.9mΩ（在Vgs=10V）

SKN340F的主要特性包括低导通电阻，这有助于降低导通状态下的功率损耗，提高电源转换效率。其高电流承载能力和良好的热稳定性使其适用于高功率密度设计。此外，该器件具有快速开关特性，有助于减少开关过程中的能量损耗，从而实现高频操作。该MOSFET还具备良好的雪崩能量耐受能力，能够在异常工作条件下提供更高的可靠性。其封装设计有助于有效的散热，确保器件在高负载条件下保持稳定运行。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽，通常可在4.5V至20V之间工作，使其适用于多种驱动电路设计。此外，SKN340F具备较低的栅极电荷（Qg），有助于减少驱动损耗，提高系统的响应速度。

SKN340F广泛应用于各种高功率电子设备中，包括工业电源、DC-DC转换器、不间断电源（UPS）、电动工具、电动车驱动系统、太阳能逆变器以及电池管理系统（BMS）。由于其高可靠性和高效率特性，该MOSFET也常用于需要高电流切换能力的电机控制和负载开关应用。
　　在电源管理领域，SKN340F可用于同步整流器、功率因数校正（PFC）电路以及高频开关电源。在电机驱动方面，它适用于无刷直流电机（BLDC）和步进电机的驱动电路。此外，该器件也适用于需要高效率和高可靠性的汽车电子系统，如车载充电器和电能管理系统。

SiZ340DT1GE、IRF340N、STP340NF5、IPB034N04LC G、FDD340N