GA1206A102GBABR31G 是一款高精度的陶瓷电容器,属于多层片式陶瓷电容器(MLCC)系列。该型号采用了X7R介质材料,具有良好的温度稳定性和频率特性。其设计适用于高频滤波、耦合、旁路和去耦等电路应用,能够有效降低电源噪声并提升信号完整性。
该电容器的封装形式为贴片式,适合自动化表面贴装工艺(SMT),广泛应用于消费电子、通信设备、汽车电子以及工业控制领域。
容量:10μF
额定电压:6.3V
误差范围:±10%
介质材料:X7R
工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
封装尺寸:1210 (3225 metric)
ESR典型值:0.01Ω
最大纹波电流:120mA (100kHz, 20°C)
绝缘电阻:≥100MΩ
耐焊接热能力:260℃ (10秒)
GA1206A102GBABR31G 具备以下显著特性:
1. 高容值与小体积结合,使得其在有限空间内提供更高效的储能性能。
2. X7R 介质赋予了该电容器优秀的温度稳定性,在-55℃至+125℃范围内容量变化率不超过±15%,保证在极端环境下的可靠性。
3. 超低等效串联电阻(ESR)使其非常适合高频滤波和快速瞬态响应场景。
4. 具有优良的频率特性,在高频条件下仍能保持较高的效能。
5. 符合RoHS标准,环保无铅设计,适合绿色制造需求。
该型号的陶瓷电容器广泛应用于以下领域:
1. 消费电子产品中的电源管理模块,如智能手机、平板电脑及笔记本电脑的充电电路中作为滤波电容。
2. 通信设备中的射频前端电路,用于信号耦合与解耦。
3. 汽车电子系统,例如车载信息娱乐系统、导航模块及动力管理系统中的滤波与储能组件。
4. 工业控制设备中的高频信号处理部分,例如变频器、伺服驱动器和PLC控制器中的旁路电容。
5. 医疗设备中的电源供应与信号调理电路,保障高精度数据采集和处理功能。
GA1206A102GBARB31G
GA1206A102GBACR31G
Kemet C0805X106K4RACTU
Taiyo Yuden TMJ127BJ106KL-T
Vishay VJ1210-X7R-10u-6.3V