NCL2801CDADR2G 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高集成度离线式开关电源控制器,专为简化高性能反激式转换器设计而开发。该芯片集成了驱动器、控制逻辑和保护功能于一体,能够显著提高效率并减少外部元件数量。它支持宽输入电压范围,并具备快速动态响应和低待机功耗的特点,非常适合于消费类电子设备如充电器和适配器。
由于采用了 GaN 场效应晶体管,NCL2801CDADR2G 在高频工作条件下表现出色,可实现更小尺寸的变压器和更高的功率密度。
型号:NCL2801CDADR2G
封装形式:SOIC-8
输入电压范围:90V 至 265V(交流)
开关频率:130kHz 至 2MHz
GaN FET 集成:是
最大输出电流:根据设计可达数安培
待机功耗:<15mW
效率:高达 94%(典型值)
工作温度范围:-40°C 至 +125°C
NCL2801CDADR2G 的主要特性包括但不限于以下几点:
1. 高效的氮化镓技术,允许在更高频率下运行以减小磁性元件体积。
2. 内置保护机制,如过载保护 (OLP)、短路保护 (SCP) 和过温保护 (OTP),增强了系统的可靠性。
3. 减少外部组件数量,从而降低 BOM 成本并简化 PCB 布局。
4. 支持准谐振 (QR) 工作模式,优化了轻载及空载条件下的效率表现。
5. 具备 X 电容放电功能,符合国际安全标准要求。
6. 提供精确的恒压/恒流 (CV/CC) 输出调节能力,适用于 USB-PD 和 QC 快充协议。
NCL2801CDADR2G 广泛应用于以下领域:
1. 消费类电子产品中的充电器和适配器。
2. 笔记本电脑和智能手机的快充解决方案。
3. LED 照明驱动电源。
4. 小型家电的电源模块。
5. 其他需要高效、紧凑型电源设计的应用场景。
NCP1342, ICE3R1066J-G0