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AO3413A 发布时间 时间:2025/5/9 18:08:30 查看 阅读:10

AO3413A是一款由Alpha and Omega Semiconductor(AOS)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用了先进的制程技术,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,适合应用于各种功率管理场景,例如负载开关、DC-DC转换器、电池保护电路等。
  AO3413A的封装形式为SOT-23,体积小巧,便于在空间受限的应用中使用。其工作电压范围较宽,能够满足大多数低至中等功率电子设计的需求。

参数

最大漏源电压:30V
  最大栅源电压:±8V
  连续漏极电流:3.1A
  导通电阻(Rds(on)):65mΩ(典型值,在Vgs=4.5V时)
  总功耗:750mW
  工作温度范围:-55℃至150℃

特性

1. 低导通电阻(Rds(on)),可降低功率损耗并提高效率。
  2. 高开关速度,适合高频应用。
  3. 小型SOT-23封装,节省PCB空间。
  4. 较宽的工作电压范围,适应多种应用场景。
  5. 良好的热稳定性,可在高温环境下可靠运行。
  6. 符合RoHS标准,环保且适用于现代电子产品制造。

应用

1. 移动设备中的负载开关。
  2. DC-DC转换器的同步整流。
  3. 电池管理系统中的保护开关。
  4. 消费类电子产品的电源管理。
  5. 便携式设备的电源切换。
  6. LED驱动电路中的开关元件。

替代型号

AO3400A, BSS138, FDN340P

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AO3413A参数

  • 现有数量3,000现货
  • 价格1 : ¥3.66000剪切带(CT)3,000 : ¥0.81653卷带(TR)
  • 系列UMW
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)20 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)3A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)2.5V,4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)66mOhm @ 3A, 4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)11 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)±8V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)745 pF @ 10 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1.4W(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装SOT-23
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3