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TC58NVG2S3EBAI5 发布时间 时间:2025/5/30 15:47:29 查看 阅读:8

TC58NVG2S3EBAI5是东芝(Toshiba)公司生产的一款NAND闪存芯片。该芯片采用MLC(多层单元)技术,主要用于存储设备中,如固态硬盘(SSD)、USB闪存盘和记忆卡等。它具有高密度、高性能和低功耗的特点,适合需要大容量数据存储的应用场景。
  TC58NVG2S3EBAI5的封装形式为BGA(球栅阵列封装),这种封装方式有助于提高芯片的性能和可靠性,同时减小了芯片的体积,便于在紧凑型设备中使用。

参数

容量:128Gb (16GB)
  接口类型:Toggle Mode 2.0
  工作电压Vcc:1.8V ± 0.1V
  工作温度范围:-25°C to +85°C
  封装形式:BGA
  引脚数:169
  数据传输速率:最高可达200 MT/s

特性

TC58NVG2S3EBAI5采用了先进的MLC NAND闪存技术,具备以下特点:
  1. 高存储密度:单颗芯片即可提供16GB的存储容量,满足现代电子设备对大容量存储的需求。
  2. 快速的数据传输:支持Toggle Mode 2.0接口,数据传输速率高达200 MT/s,显著提升读写速度。
  3. 低功耗设计:通过优化电路结构和工艺技术,降低了芯片的工作功耗,延长了电池供电设备的续航时间。
  4. 可靠性高:经过严格的质量控制和测试流程,确保在各种环境下都能稳定运行。
  5. 小型化封装:采用169球的BGA封装,不仅节省空间,还提高了散热性能和机械强度。

应用

TC58NVG2S3EBAI5广泛应用于以下领域:
  1. 固态硬盘(SSD):作为主要的存储介质,提供快速的数据访问和大容量的存储空间。
  2. USB闪存盘:用于制造高速USB存储设备,满足用户对便携式存储的需求。
  3. 记忆卡:例如SD卡、microSD卡等,适用于智能手机、平板电脑和数码相机等设备。
  4. 嵌入式系统:为工业控制、医疗设备和汽车电子等领域的嵌入式系统提供可靠的存储解决方案。
  5. 消费类电子产品:包括智能电视、机顶盒和其他多媒体播放设备,增强其数据存储和处理能力。

替代型号

TC58NVG2S3HTAI5, TC58NVG2S3GBAI5

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TC58NVG2S3EBAI5参数

  • 单元类型NAND
  • 字组数目512M
  • 存储器大小4Gbit
  • 安装类型表面贴装
  • 宽度10mm
  • 封装类型TFBGA
  • 尺寸13 x 10 x 0.74mm
  • 引脚数目63
  • 最低工作温度-40 °C
  • 最大工作电源电压4.6 V
  • 最小工作电源电压-0.6 V
  • 最长随机存取时间25ns
  • 最高工作温度+85 °C
  • 每字组的位元数目8bit
  • 组织512M x 8
  • 长度13mm
  • 高度0.74mm