时间：2025/12/28 21:07:53
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GL6UR26T是一款由Giantec（巨积）公司生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件适用于高频率开关应用，具有良好的导通特性和较低的开关损耗，适用于电源转换器、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等多种应用场景。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：6A
漏极-源极击穿电压（VDS）：20V
栅极-源极电压（VGS）：±8V
导通电阻（RDS(on)）：26mΩ（最大值）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：SOP-8
GL6UR26T具有较低的导通电阻，能够显著减少导通损耗，提高系统效率。其高频率特性使其适用于高效率的开关电源设计。
该器件采用了先进的沟槽技术，优化了载流子分布，从而实现了更佳的开关性能。此外，GL6UR26T还具有较高的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行。
封装形式为SOP-8，适用于表面贴装工艺，便于自动化生产。其紧凑的设计也有利于节省PCB空间，适用于高密度电子设备。
由于其优良的电流处理能力和热管理性能，GL6UR26T非常适合用于电池管理系统、负载开关控制以及各种电源管理模块中。
该器件广泛应用于DC-DC转换器、同步整流、负载开关、电源管理模块、电机驱动、电池管理系统（BMS）等场景。此外，它也可用于LED驱动、电源适配器以及各种便携式电子设备的电源控制部分。
Si2302DS,TSM2302CX
