时间：2025/5/13 14:48:00
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S-LBC857BN3T5G 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效率功率晶体管，采用小型化的表面贴装封装设计。该器件具有出色的开关性能和高频特性，专为高功率密度应用而设计，适用于电源适配器、无线充电器以及工业电源转换等领域。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：10A
导通电阻：40mΩ
栅极电荷：90nC
反向恢复时间：20ns
工作温度范围：-55℃至+150℃
S-LBC857BN3T5G 具有低导通电阻和低栅极电荷的特点，能够显著减少导通损耗和开关损耗。同时，其快速的开关速度和紧凑的封装形式使其非常适合高频和高功率密度的应用场景。
此外，这款器件内置了过温保护功能，并采用了先进的场效应技术以提升可靠性与耐用性。相较于传统硅基 MOSFET，它在效率和热管理方面表现出明显优势。
由于其卓越的电气性能和稳定性，S-LBC857BN3T5G 成为了现代高效能电力电子系统中的理想选择。
该芯片广泛应用于各种高性能电力转换设备中，包括但不限于：
1. 开关模式电源 (SMPS)
2. 电动汽车充电模块
3. 高频 DC-DC 转换器
4. 太阳能逆变器
5. 工业电机驱动控制
6. 笔记本电脑及平板电脑的快充适配器
S-LBC857BN3T5G 的高频特性和高效的功率传输能力使得它特别适合需要高功率密度和低能耗的设计方案。
S-LBC857BN3T3G
TOSHIBA TGY10B65Z
INFINEON IPP050N06S4L
