时间：2025/9/1 22:53:03
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H5TQ1G63EFR-TEC是一款由Hynix（现为SK hynix）制造的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。这款内存芯片属于移动低功耗DRAM（mLPDRAM）类别，主要用于需要高性能和低功耗的移动设备，如智能手机、平板电脑和其他便携式电子设备。该芯片采用FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）封装，具备较高的集成度和较小的物理尺寸，适合空间受限的设计应用。
容量：1Gb（128MB）
组织结构：16M x 8 / 8M x 16
工作电压：1.7V - 3.3V
接口类型：异步
封装类型：TSOP
工作温度范围：-40°C至+85°C
最大访问时间：5.4ns（在3.3V下）
H5TQ1G63EFR-TEC是一款异步DRAM芯片，其主要特性包括低功耗设计和适用于便携式设备的紧凑封装。该芯片支持多种电源电压，使其在不同的系统设计中具有良好的兼容性。异步接口意味着该芯片不需要时钟信号进行同步，因此在某些特定应用中，如需要较低复杂度的控制系统时，具有明显优势。此外，H5TQ1G63EFR-TEC还具备宽温度范围的工作能力，可在工业级温度范围内稳定运行，适合多种工作环境。
该芯片的容量为1Gb，可以满足一些中等存储需求的应用。其TSOP封装形式有助于减少PCB布局的空间占用，同时保持良好的电气性能和散热能力。此外，该芯片的多电压支持（1.7V至3.3V）增强了其在不同平台上的适应性，使其能够灵活应用于多种电子设备。
H5TQ1G63EFR-TEC广泛应用于需要高可靠性和低功耗的嵌入式系统和便携式电子产品中。例如，它可以用于智能手机、平板电脑、数字相机、便携式游戏机、工业控制设备以及车载娱乐系统等。由于其异步接口和低电压支持，该芯片也适用于一些需要延长电池寿命或简化电路设计的场景。
H5TQ1G63AMR-TEC,H5TQ1G63GFR-TEC
