类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（V_DS）：30V
　　最大连续漏极电流（I_D）：6.8A（在T_C=25°C）
　　最大脉冲漏极电流（I_DM）：27A
　　最大栅源电压（V_GS）：±20V
　　导通电阻R_DS(on)：14mΩ（当V_GS=10V）
　　导通电阻R_DS(on)：17mΩ（当V_GS=4.5V）
　　导通电阻R_DS(on)：20mΩ（当V_GS=2.5V）
　　阈值电压（V_GS(th)）：典型值1.4V，最大值2.0V
　　输入电容（C_iss）：约920pF（在V_DS=15V，V_GS=0V，f=1MHz）
　　输出电容（C_oss）：约350pF
　　反向恢复时间（t_rr）：约16ns
　　功耗（P_tot）：1.4W（T_A=25°C）
　　工作结温范围（T_J）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：PG-SOT23-3（SMD）

BSP204的优异性能源于其采用的先进沟槽栅极MOSFET工艺技术，这种结构显著降低了导通电阻R_DS(on)，从而减少了导通状态下的功率损耗，提升了整体能效。在V_GS=10V时，其典型R_DS(on)仅为14mΩ，在低电压应用中表现尤为出色，能够有效降低发热并提高系统效率。更重要的是，即使在较低的栅极驱动电压如4.5V或2.5V条件下，BSP204仍能保持较低的导通电阻（分别为17mΩ和20mΩ），这使得它非常适合由现代微控制器或逻辑IC直接驱动的应用，无需额外的电平转换或驱动电路，简化了设计复杂度。
　　BSP204具备快速的开关响应能力，得益于其较小的栅极电荷（Q_g）和低输入/输出电容，能够在高频开关环境中稳定运行，适用于高达数百kHz甚至更高的开关频率场景，如同步整流、开关电源和PWM调光控制等。同时，该器件具有良好的热稳定性，其内部结构优化了热阻路径，使热量能够更有效地从芯片传递到PCB，增强了长期工作的可靠性。
　　此外，BSP204内置了一定程度的抗雪崩能量承受能力，能够在瞬态过压或感性负载切换过程中提供一定的自我保护，减少因电压尖峰导致的损坏风险。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）使其不仅适用于常规商业环境，也能满足部分工业和汽车级应用的需求。器件还具备良好的ESD防护能力，符合行业标准，进一步提升了在实际生产与使用中的耐用性。综合来看，BSP204以其高性能、小尺寸、易驱动和高可靠性，成为众多中小功率开关应用的理想选择。

BSP204广泛应用于多种电子系统中，尤其适合需要高效、紧凑和低成本功率开关解决方案的设计。常见应用包括便携式电子设备中的负载开关，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源路径管理，用于控制不同功能模块的供电通断，以实现节能和延长电池续航。在DC-DC转换器中，BSP204可用于非隔离式降压（Buck）或升压（Boost）拓扑结构中的同步整流开关，凭借其低导通电阻和快速开关特性，显著提升转换效率并减少热损耗。
　　在电机驱动方面，BSP204可用于小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中作为低端开关，实现精确的速度和方向控制，适用于玩具、家电、办公自动化设备等场景。此外，该器件也常用于LED照明驱动电路中，作为恒流源的开关元件，支持PWM调光功能，确保亮度调节平稳且高效。
　　在工业控制领域，BSP204可用于继电器驱动、电磁阀控制和传感器供电开关等场合，替代传统双极型晶体管，带来更低的驱动损耗和更高的响应速度。其SMD封装形式便于自动化贴装，适用于大规模生产。在电池管理系统（BMS）中，BSP204可用于充放电回路的MOSFET阵列，配合保护IC实现过流、短路和反接保护等功能。总之，BSP204凭借其优异的电气特性和高可靠性，已成为消费电子、工业控制、汽车电子和通信设备中不可或缺的关键元器件之一。

BSS138
　　SI2302
　　FDS6680A
　　AO3400