类型：PNP晶体管
　　集电极-发射极电压（VCEO）：100V
　　集电极-基极电压（VCBO）：100V
　　发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　集电极电流（IC）：100mA
　　功耗（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　增益（hFE）：110-800（根据等级不同）
　　频率响应：100MHz（典型值）

MMBTA56 T/R 晶体管具有多项优异的电气特性，使其在电子设计中表现出色。首先，其高集电极-发射极电压（VCEO）和集电极-基极电压（VCBO）均为100V，这使得该晶体管能够承受较高的电压应力，适用于高压环境下的应用。其次，该器件的最大集电极电流为100mA，足以满足大多数低功率放大和开关电路的需求。
　　MMBTA56 T/R 的增益（hFE）范围广泛，从110到800不等，具体数值取决于晶体管的等级（如L、M、Q、R等级别），这种设计允许工程师根据具体应用选择合适增益的晶体管，从而优化电路性能。此外，该晶体管的频率响应高达100MHz，适用于高频放大电路。
　　采用SOT-23封装的MMBTA56 T/R 具有小巧的体积，便于在PCB上布局，同时具备良好的热稳定性和可靠性。T/R后缀表明其采用卷带包装，适用于自动化贴片机进行高速装配，提高生产效率。
　　该晶体管的工作温度范围为-55°C至+150°C，确保其在极端环境条件下仍能稳定工作。因此，MMBTA56 T/R 不仅适用于常规的消费电子产品，还广泛应用于工业控制、汽车电子和通信设备等对可靠性要求较高的场合。

MMBTA56 T/R 晶体管在多种电子系统中具有广泛的应用场景。首先，它常用于小信号放大器电路中，例如音频前置放大器、传感器信号调理电路等。由于其高频响应可达100MHz，因此也适用于射频（RF）信号放大电路。
　　其次，MMBTA56 T/R 也常用于数字电路中的开关元件，例如驱动LED、继电器、小型电机等负载。在微控制器（MCU）或数字逻辑电路与外部设备之间，MMBTA56 T/R 可作为缓冲器或电平转换器使用。
　　此外，该晶体管还被广泛用于电源管理电路，如DC-DC转换器、电压调节器等。在这些应用中，MMBTA56 T/R 可作为开关元件控制电流流向，实现高效能的电源管理。
　　在汽车电子系统中，MMBTA56 T/R 用于控制各种传感器信号、仪表盘指示灯和小型执行器。由于其宽工作温度范围和高可靠性，该晶体管也成为工业自动化控制设备中的常用元件。

MMBTA43 T/R, 2N3906, BC807, PN2907