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GCQ1555C1H7R2DB01D 发布时间 时间:2025/7/5 2:35:18 查看 阅读:8

GCQ1555C1H7R2DB01D是一款高性能的射频功率晶体管,主要用于无线通信设备中的功率放大器应用。该器件采用了先进的半导体制造工艺,能够提供高增益、高效率和良好的线性度,适用于基站、中继器以及其他射频功率放大的场合。
  这款晶体管在设计上充分考虑了高频信号处理的需求,具有低失真和高可靠性特点,能够在宽广的工作频率范围内稳定运行。

参数

型号:GCQ1555C1H7R2DB01D
  工作频率范围:800 MHz - 2.7 GHz
  输出功率:43 dBm(典型值)
  增益:15 dB(典型值)
  效率:60%(典型值,在特定负载条件下)
  最大漏极电流:5 A
  最大栅极偏置电压:-6 V
  封装形式:DB01D(双列直插式金属封装)
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

1. 高输出功率:GCQ1555C1H7R2DB01D可以实现高达43 dBm的输出功率,满足现代通信系统对大功率传输的需求。
  2. 广泛的频率覆盖:支持从800 MHz到2.7 GHz的工作频率范围,适用于多种无线通信标准,包括GSM、WCDMA、LTE等。
  3. 高效率:在特定负载条件下,器件效率可达到60%,有助于降低功耗并提升系统的整体性能。
  4. 良好的线性度:该晶体管具备出色的线性表现,有效减少信号失真,提高通信质量。
  5. 稳定性强:即使在极端温度条件下,也能保持稳定的性能输出。

应用

GCQ1555C1H7R2DB01D主要应用于以下领域:
  1. 基站功率放大器:
   作为基站发射机的核心组件,负责将射频信号进行功率放大后发送。
  2. 中继器:
   在信号较弱区域增强信号强度,保证通信质量。
  3. 固定无线接入设备:
   提供可靠的射频功率放大功能,用于家庭或企业宽带接入。
  4. 测试与测量设备:
   在实验室环境中模拟真实场景下的射频信号源。

替代型号

GCQ1555C1H7R2DB02D, GCQ1555C1H7R2DB03D

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GCQ1555C1H7R2DB01D参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格10,000 : ¥0.22884卷带(TR)
  • 系列GCQ
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容7.2 pF
  • 容差±0.5pF
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用RF,微波,高频,汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.022"(0.55mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-