时间：2025/7/23 16:47:10
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F3NK802是一款由富士电机（Fuji Electric）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要设计用于高电压和高电流应用。该器件采用了先进的沟槽栅极技术，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能。F3NK802适用于工业电源、马达控制、DC-DC转换器、UPS（不间断电源）和逆变器等高功率应用领域。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：800V
栅源电压（Vgs）：±30V
连续漏极电流（Id）：12A（在Tc=25℃）
脉冲漏极电流（Idm）：48A
导通电阻（Rds(on)）：最大0.42Ω（在Vgs=10V时）
功耗（Pd）：150W
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装类型：TO-220
F3NK802的主要特性之一是其高耐压能力，漏源电压额定值高达800V，使其适用于高电压功率转换应用。该器件采用了先进的沟槽栅极结构，从而显著降低了导通电阻（Rds(on)），提高了器件的导电效率，有助于减少功率损耗和发热。此外，F3NK802具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，适合高可靠性应用。其栅极驱动电压范围较宽，支持±30V，使其兼容多种驱动电路设计。F3NK802还具备较高的抗雪崩能力和过载电流承受能力，能够在瞬态条件下保持稳定运行。此外，该MOSFET的TO-220封装形式便于安装和散热管理，适用于多种工业和电源设计。
F3NK802的低导通电阻和快速开关特性使其在高频应用中表现出色，减少了开关损耗并提高了整体系统效率。同时，该器件具备良好的短路耐受能力，有助于提高系统的安全性和稳定性。F3NK802的这些特性使其成为工业电源、电机驱动、逆变器、UPS系统和DC-DC转换器等应用的理想选择。
F3NK802广泛应用于需要高电压和高效率的功率电子设备中。典型应用包括工业电源系统、电机控制电路、UPS不间断电源、光伏逆变器、开关电源（SMPS）以及各种类型的DC-DC转换器。此外，该器件也可用于电池管理系统、智能电网设备和电动车辆中的功率控制单元。
F3NK802的替代型号包括FQA12N80C、IRF840、FDPF800N10A、STF8NM80
