模块类型：IGBT模块
　　封装类型：SKiiP（SEMIKRON Intelligent Power）
　　额定集电极电流（IC）：1200 A（在Tc=80℃条件下）
　　额定集电极-发射极电压（VCES）：1200 V
　　IGBT芯片技术：第四代IGBT芯片
　　二极管配置：反并联二极管（快速恢复二极管）
　　短路耐受能力：典型值为10μs
　　工作温度范围：-40℃ 至 +150℃
　　绝缘电压：高达3300 Vrms
　　热阻（Rth）：根据散热器和安装条件不同而变化

SKT341/12E 模块采用了 SEMIKRON 先进的 SKiiP 封装技术，具有高度集成和良好的热管理性能。模块内部集成了IGBT芯片和反并联二极管，减少了外部元件数量，提高了系统的可靠性和效率。该模块具有优异的短路保护能力，能够在高电流和高电压条件下保持稳定工作。
　　此外，SKT341/12E 还具备低导通压降和开关损耗的特点，适用于高频率开关操作，有助于提高系统的整体能效。其高绝缘等级（高达3300 Vrms）确保了模块在高电压应用中的安全性，并能够适应严苛的工业环境。
　　模块内部的热阻设计优化，有助于快速散热，提升模块的耐久性和长期运行的稳定性。模块还支持多种冷却方式，包括风冷和水冷，适用于不同应用场景的需求。

SKT341/12E 模块广泛应用于各种高功率电力电子设备中，如工业电机驱动、变频器、逆变器、电能质量调节器、可再生能源系统（如风力发电和太阳能逆变系统）、电焊设备、轨道交通系统以及电力传输与分配系统。其高可靠性和优异的性能使其成为高性能电力电子系统设计的理想选择。

SKM1000GB126D, FS1200R12PT4_B35