时间：2025/6/24 13:43:21
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GA1206A821KXEBR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于电源管理、电机驱动和工业自动化领域。该器件采用先进的半导体工艺制造，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。
此型号为表面贴装类型，适合高密度设计需求，并具备良好的电气稳定性和可靠性。
型号：GA1206A821KXEBR31G
封装：LFPAK56D
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：49A
导通电阻(Rds(on))：1.7mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
总功耗(Ptot)：20W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装尺寸：5mm x 6mm
GA1206A821KXEBR31G 的主要特点是其卓越的电气性能和散热能力。
1. 低导通电阻使得在高电流应用中能够减少能量损耗，从而提高效率。
2. 高速开关特性使其适用于高频电路环境，减少了电磁干扰问题。
3. 具备坚固的短路保护功能，增强系统的可靠性和耐用性。
4. 封装形式紧凑，支持高效散热，非常适合对空间有严格要求的应用场景。
5. 宽泛的工作温度范围允许其在极端环境下保持稳定的性能表现。
这款功率 MOSFET 主要用于需要高效能和高可靠性的场合。
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器中的高频开关元件。
3. 电动工具、家用电器及工业设备中的电机驱动。
4. 汽车电子系统，例如车载充电器和电池管理系统(BMS)。
5. 可再生能源领域，如太阳能逆变器中的功率转换组件。
GA1206A820KXEBR31G, IPW60R070CP, FDP5570N
