时间：2025/7/1 21:10:15
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TPM0730N5 是一款基于 N 沟道增强型 MOSFET 的功率晶体管，广泛应用于各种开关电源、电机驱动和负载切换电路中。该器件具有较低的导通电阻和较高的开关速度，能够在高频应用中提供高效能表现。
TPM0730N5 具有良好的耐热特性和稳定性，能够承受较大的瞬态电流，并在高电压环境下保持稳定工作。其封装形式通常为 TO-220 或 DPAK 等常见功率封装类型，方便散热设计与 PCB 布局。
最大漏源电压：70V
连续漏极电流：30A
导通电阻：4.5mΩ
栅极电荷：12nC
最大功耗：180W
结温范围：-55℃ 至 +150℃
TPM0730N5 提供了出色的电气性能，包括低导通电阻（Rds(on)），这有助于降低传导损耗并提高效率。同时，其快速开关能力减少了开关损耗，在高频应用中尤为重要。
该器件还具备较强的雪崩能力和抗静电保护功能，确保在恶劣环境下的可靠性。此外，TPM0730N5 的热阻较低，结合适当的散热器可以有效延长使用寿命并维持长期稳定性。
由于其大电流承载能力和高压操作范围，TPM0730N5 非常适合工业级或汽车级应用，如 DC-DC 转换器、逆变器以及电磁阀驱动等场景。
该 MOSFET 主要用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 AC-DC 转换器
2. 电机控制和驱动电路
3. 太阳能逆变器和电池管理系统 (BMS)
4. 工业自动化设备中的负载切换
5. 电动车及混合动力车中的辅助系统驱动
6. 各类需要高效能功率管理的消费电子设备
IRFZ44N
STP30NF06L
FDP5500
IXFN40N06P
