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A30QS 发布时间 时间:2025/8/7 12:09:58 查看 阅读:15

A30QS 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高效率电源转换和功率管理应用。该器件具有低导通电阻(RDS(on))、高耐压和高电流能力,适用于各种高功率密度和高效率设计场景,如电源供应器、DC-DC 转换器、电机驱动器以及电池管理系统等。A30QS 采用 TO-220 封装,具备良好的散热性能,适用于需要稳定可靠功率控制的工业和消费类电子产品。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  漏源电压(VDS):300V
  栅源电压(VGS):±20V
  连续漏极电流(ID):15A(在 Tc=25°C)
  脉冲漏极电流(IDM):60A
  功耗(PD):150W
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:TO-220

特性

A30QS MOSFET 具备多项优良特性,使其在功率电子应用中表现出色。首先,其低导通电阻(RDS(on))可显著降低导通损耗,提高系统效率。此外,该器件具有高击穿电压(VDS)和良好的热稳定性,能够承受较高的电压应力和温度变化。A30QS 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术,提供更高的电流承载能力和更快的开关速度,适用于高频开关应用。其 TO-220 封装形式具备良好的散热性能,能够有效降低器件工作温度,提升长期运行的可靠性。
  在可靠性方面,A30QS 具备较强的抗雪崩能力和抗短路能力,能够在极端工况下保持稳定运行。此外,该器件的栅极驱动电压范围较宽(±20V),适用于多种驱动电路设计。A30QS 还具备较低的栅极电荷(Qg),有助于减少开关损耗并提升整体能效。这些特性使其成为高性能电源系统中的理想选择,适用于需要高效率、小体积和高稳定性的设计场景。

应用

A30QS 广泛应用于各类功率电子设备中,包括开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、AC-DC 整流器、逆变器、电机控制模块、电池管理系统(BMS)以及工业自动化设备。由于其高耐压和大电流能力,该器件特别适合用于需要承受较高电压和电流应力的电源转换系统。在新能源领域,如太阳能逆变器、电动车充电器和储能系统中,A30QS 也可作为主功率开关器件使用。此外,在家用电器、工业电源模块以及 LED 照明驱动电路中,该 MOSFET 也常用于实现高效率的功率控制。

替代型号

STP15NK30Z, IRF840, FQP15N30C, FDP15N30

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