STP28N60M2 是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款N沟道增强型功率MOSFET,主要应用于高功率和高效率的开关电源、DC-DC转换器以及电机控制等领域。该器件采用先进的技术,具有低导通电阻、高耐压能力和良好的热稳定性,适用于各种功率电子设备。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电流(Id):28A
最大漏源电压(Vds):600V
最大栅源电压(Vgs):±20V
导通电阻(Rds(on)):最大0.22Ω
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装形式:TO-220、D2PAK等
STP28N60M2 MOSFET具备多项优良特性,首先,其低导通电阻(Rds(on))使得在导通状态下的功率损耗显著降低,从而提高整体系统的效率。其次,该器件的漏源电压(Vds)高达600V,使其能够承受较高的电压应力,适用于多种高电压应用场景。此外,最大漏极电流为28A,提供了足够的电流承载能力,满足高功率需求。该MOSFET还具有良好的热稳定性和抗热失效能力,能够在高温环境下稳定工作,提高了系统的可靠性和寿命。栅极驱动电压范围为±20V,兼容常见的驱动电路设计,便于集成和应用。封装形式包括TO-220和D2PAK,适合不同的PCB布局和散热需求。
此外,STP28N60M2采用了意法半导体先进的MOSFET制造技术,确保了器件在高频开关条件下的性能稳定性,降低了开关损耗,适用于高频电源转换器。其封装设计也有助于良好的散热性能,进一步提升器件在高负载条件下的稳定性。综合来看,STP28N60M2是一款性能优良、可靠性高的功率MOSFET,广泛适用于工业控制、电源管理和电机驱动等领域。
STP28N60M2主要用于各种高功率电子设备中,如开关电源(SMPS)、AC-DC和DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器以及工业自动化控制系统。其高耐压和大电流能力使其非常适合用于电源适配器、LED照明驱动器、电池充电器以及家用电器中的功率控制模块。此外,在新能源领域,如太阳能逆变器和电动汽车充电设备中,该MOSFET也可作为关键的功率开关元件使用。
STF28N60DM2, STW28N60M2, IRFBC30, FQA28N60