STP28N60M2 时间：2025/7/22 5:47:57 阅读：11

STP28N60M2 是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET，主要应用于高功率和高效率的开关电源、DC-DC转换器以及电机控制等领域。该器件采用先进的技术，具有低导通电阻、高耐压能力和良好的热稳定性，适用于各种功率电子设备。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（Id）：28A
　　最大漏源电压（Vds）：600V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大0.22Ω
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：TO-220、D2PAK等

特性

STP28N60M2 MOSFET具备多项优良特性，首先，其低导通电阻（Rds(on)）使得在导通状态下的功率损耗显著降低，从而提高整体系统的效率。其次，该器件的漏源电压（Vds）高达600V，使其能够承受较高的电压应力，适用于多种高电压应用场景。此外，最大漏极电流为28A，提供了足够的电流承载能力，满足高功率需求。该MOSFET还具有良好的热稳定性和抗热失效能力，能够在高温环境下稳定工作，提高了系统的可靠性和寿命。栅极驱动电压范围为±20V，兼容常见的驱动电路设计，便于集成和应用。封装形式包括TO-220和D2PAK，适合不同的PCB布局和散热需求。
　　此外，STP28N60M2采用了意法半导体先进的MOSFET制造技术，确保了器件在高频开关条件下的性能稳定性，降低了开关损耗，适用于高频电源转换器。其封装设计也有助于良好的散热性能，进一步提升器件在高负载条件下的稳定性。综合来看，STP28N60M2是一款性能优良、可靠性高的功率MOSFET，广泛适用于工业控制、电源管理和电机驱动等领域。

应用

STP28N60M2主要用于各种高功率电子设备中，如开关电源（SMPS）、AC-DC和DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器以及工业自动化控制系统。其高耐压和大电流能力使其非常适合用于电源适配器、LED照明驱动器、电池充电器以及家用电器中的功率控制模块。此外，在新能源领域，如太阳能逆变器和电动汽车充电设备中，该MOSFET也可作为关键的功率开关元件使用。