时间：2025/3/20 17:00:01
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Q8006NH4是一款高性能的MOSFET功率晶体管，广泛应用于开关电源、电机驱动和负载开关等场景。该器件采用N沟道增强型技术，具有低导通电阻和高电流承载能力的特点，适合高频开关应用。
最大漏源电压(Vds)：60V
连续漏极电流(Id)：120A
栅极阈值电压(Vgs(th))：2.5V~4.5V
导通电阻(Rds(on))：4mΩ
总功耗(Ptot)：225W
结温范围(Tj)：-55℃~175℃
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够有效降低功率损耗。
2. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的耐用性。
3. 快速开关性能，适合高频工作环境。
4. 采用TO-247封装形式，具备良好的散热性能。
5. 符合RoHS标准，绿色环保。
6. 内置ESD保护电路，提高了器件的可靠性。
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率级开关。
2. 电动工具及家用电器中的电机驱动控制。
3. 大电流负载开关的应用。
4. 逆变器及不间断电源(UPS)系统中的功率转换。
5. 工业自动化设备中的电子开关组件。
IRF840, STP120NF06L, FDP18N60C
