BUK9M24-40E 时间：2025/9/14 12:55:40 阅读：19

BUK9M24-40E 是由恩智浦半导体（NXP Semiconductors）生产的一款高性能N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于电源管理和功率转换应用。该器件采用先进的沟槽技术，能够在高效率和低导通电阻方面提供出色的性能。其主要特点是低RDS(on)、高电流能力和优良的热性能，适用于多种工业和消费类电子设备。

参数

类型：N沟道
　　最大漏极电流（ID）：150A
　　最大漏源电压（VDS）：40V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大4.2mΩ @ VGS=10V
　　功率耗散：300W
　　封装类型：TO-263（D2PAK）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C

特性

BUK9M24-40E 的核心特性之一是其极低的导通电阻（RDS(on)），这有助于降低功率损耗，提高系统效率。该器件采用了先进的沟槽MOSFET技术，使得在相同的封装尺寸下，能够提供更高的电流能力和更低的导通损耗。
　　此外，BUK9M24-40E 具有良好的热管理能力，能够在高功率应用中保持稳定的工作温度，从而提高器件的可靠性和寿命。其TO-263（D2PAK）封装形式不仅提供了良好的散热性能，还支持表面贴装工艺，便于在PCB上安装和使用。
　　该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，可以在+4.5V至+20V之间正常工作，使其适用于多种驱动电路设计。同时，其高耐压能力（40V VDS）也使其能够在一些需要较高电压余量的应用中稳定运行。
　　另外，BUK9M24-40E 的设计还考虑了短路和过载保护的需求，能够在一定程度上承受瞬态过载条件，从而增强了系统的稳定性和安全性。

应用

BUK9M24-40E 由于其高电流能力和低导通电阻，广泛应用于各种电源管理和功率控制领域。例如，在DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电机控制电路中，该器件能够提供高效的能量传输和稳定的性能。
　　在服务器电源和通信设备电源系统中，BUK9M24-40E 被用作主开关或同步整流器，以实现高效率的电源转换。此外，它也适用于电池管理系统（BMS）、电动工具和工业自动化设备中的功率控制模块。
　　由于其出色的热性能和高可靠性，BUK9M24-40E 还常用于汽车电子系统中，如车载充电器、起停系统和电动助力转向系统等，满足汽车应用中对功率器件的严格要求。