时间：2025/6/26 20:44:22
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GA0402H681KXXAP31G 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，专为高效率和低损耗应用设计。该器件采用先进的制造工艺，能够提供卓越的开关性能和导通特性。其主要应用于电源管理、电机驱动、逆变器以及各类功率转换电路中。
该型号属于 N 沟道增强型 MOSFET，具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力，适合高频开关场景下的高效功率传输。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：72A
导通电阻：28mΩ
栅极电荷：98nC
开关时间：开启时间 36ns / 关断时间 29ns
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
GA0402H681KXXAP31G 的主要特性包括：
1. 超低导通电阻 (R损耗。
2. 高雪崩击穿能量，增强了器件的耐用性和可靠性。
3. 快速开关能力，适用于高频应用场景。
4. 小巧的封装形式，便于集成到紧凑型设计中。
5. 支持宽范围的工作温度，适应各种恶劣环境条件。
6. 具有良好的热稳定性和电气稳定性。
这款 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）和 DC-DC 转换器。
2. 工业电机驱动和伺服系统。
3. 太阳能逆变器及储能设备。
4. 电动车牵引逆变器。
5. 各类家电中的功率控制模块。
6. UPS 不间断电源系统。
GA0402H681KXXBP31G, IRFP260N, STW12NK65M5
