时间：2025/9/15 0:15:15
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NZH4V7B 是一款由 Renesas Electronics 生产的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于功率控制和开关应用。该器件属于N沟道增强型MOSFET，具有高效率、低导通电阻和快速开关特性，适用于各种电源管理和电机控制电路。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏极电流（ID）：4.7A
漏极-源极击穿电压（VDS）：30V
栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：约 0.14Ω（在VGS=10V时）
功率耗散（PD）：34W
封装类型：TO-220
NZH4V7B 提供了低导通电阻，使得在高电流工作时功耗更低，提高了系统的整体效率。其高耐压特性（30V VDS）使其适用于中低功率应用，如DC-DC转换器、电机驱动器和负载开关电路。此外，该器件具有良好的热稳定性和较高的功率耗散能力（34W），可在较高温度环境下稳定运行。快速的开关响应时间也使其适用于高频开关电源应用。
该MOSFET采用TO-220封装，便于安装散热片，提高了散热性能。其±20V的栅极-源极电压耐受能力提供了较高的驱动灵活性，允许使用标准的MOSFET驱动电路进行控制。同时，其封装设计符合RoHS环保标准，适用于工业和消费类电子产品。
NZH4V7B 常用于以下类型的电子系统中：电源管理系统、DC-DC转换器、电池充电电路、电机驱动模块、负载开关控制、工业自动化设备以及各种需要高效功率开关的嵌入式系统。其低导通电阻和高电流能力使其在便携式设备和中功率电源供应器中尤为常见。
2N7002K, IRFZ44N, FDPF4N30
